Разработка Samsung обещает 4 ГБ RAM для смартфонов

ferra.ru

Очередным достижением на бурно развивающемся рынке мобильной DRAM отметилась компания Samsung Electronics, официально объявившая о разработке первой в индустрии памяти типа LPDDR4 с емкостью 8 Гбит. Таким образом, количество оперативной памяти, которое способен обеспечить один подобный чип, составляет 1 ГБ.

Квартет же микросхем, объединенных в модуль, принесет в портативные гаджеты вроде смартфонов и планшетов целых 4 ГБ RAM, что должно положительно сказаться на быстродействии этих устройств.

Новая 8-гигабитная память LPDDR4 создается по технологическим нормам 20-нм класса и использует LVSTL-шину, предложенную собственно Samsung и являющуюся стандартом для подобной RAM. Благодаря этому интерфейсу пропускная способность достигает 3,1 Гбит/с, а производительность указанной LPDDR4 на 50 процентов превышает показатель самой быстрой на сегодня памяти LPDDR3. При этом новые микросхемы потребляют на 40 процентов меньше энергии по сравнению с существующими мобильными решениями.

Последнее особенно важно, поскольку позволит продлить время автономной работы для портативной электроники. Массовое производство 8-гигабитной памяти LPDDR4 должно стартовать в наступающем 2014 году, предназначена она в основном для высококлассных смартфонов и планшетных компьютеров, а также ноутбуков. Таким образом, 3 ГБ RAM в Samsung Galaxy Note 3 вскоре может оказаться не так много для истинных гаджетоманов.

Новости по теме

Новости других СМИ